具有气隙的层间介质层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410098512.6

申请日：

2014-03-17

公开(公告)号：

CN103839886A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

黄冲李志国李协吉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	公开	公开
2017-06-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754635552 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014100985126 申请公布日:20140604
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583466412 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014100985126 申请日:20140317

共 50 条

[1]

层间介质层的形成方法 [P].

金立培 ;

李宗旭 ;

许隽 ;

张严 .

中国专利 :CN114823288A ,2022-07-29

[2]

层间介质层的形成方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119419170A ,2025-02-11

[3]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

[4]

金属层间介质的形成方法及金属层间介质结构 [P].

陈美丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN103094194A ,2013-05-08

[5]

一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法 [P].

田守卫 ;

王雷 ;

姜国伟 ;

孙洪福 .

中国专利 :CN107946281A ,2018-04-20

[6]

金属层间介质膜层的形成方法 [P].

胡海天 ;

姜国伟 ;

田守卫 ;

徐宇杰 .

中国专利 :CN109346399A ,2019-02-15

[7]

层间介质层的化学机械研磨方法 [P].

李健 ;

刘俊良 .

中国专利 :CN101961852A ,2011-02-02

[8]

层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法 [P].

郑春生 ;

刘明源 ;

蔡明 .

中国专利 :CN101577244A ,2009-11-11

[9]

一种层间介质层的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

胡建强 ;

邹陆军 ;

李绍彬 .

中国专利 :CN105845619A ,2016-08-10

[10]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

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