层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810105899.8

申请日：

2008-05-05

公开(公告)号：

CN101577244A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

郑春生刘明源蔡明

申请人：

申请人地址：

100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

董立闽;李丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20080505 授权公告日:20111130 终止日期:20190505
2011-11-30	授权	授权
2009-11-11	公开	公开
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法 [P].

邵群 ;

陈枫 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102969237B ,2013-03-13

[2]

层间介质层的形成方法 [P].

金立培 ;

李宗旭 ;

许隽 ;

张严 .

中国专利 :CN114823288A ,2022-07-29

[3]

层间介质层的形成方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119419170A ,2025-02-11

[4]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

[5]

改善层间介质层研磨返工工艺的方法 [P].

徐莹 ;

罗飞 ;

周维 .

中国专利 :CN103972048A ,2014-08-06

[6]

层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN106531685B ,2017-03-22

[7]

在层间介质层自对准形成空隙的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137550A ,2013-06-05

[8]

硅化钨层的形成方法 [P].

元济亨 .

中国专利 :CN1377064A ,2002-10-30

[9]

具有气隙的层间介质层的形成方法 [P].

黄冲 ;

李志国 ;

李协吉 .

中国专利 :CN103839886A ,2014-06-04

[10]

金属层间介质的形成方法及金属层间介质结构 [P].

陈美丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN103094194A ,2013-05-08

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