层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510587576.7

申请日：

2015-09-15

公开(公告)号：

CN106531685B

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

李健

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311 H01L23522

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	授权	授权
2017-03-22	公开	公开
2017-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101714029436 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2015105875767 申请日:20150915

共 50 条

[1]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[2]

掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P].

凯文皮尔斯 .

中国专利 :CN102543687B ,2012-07-04

[3]

接触孔层间膜上刻蚀接触孔的方法 [P].

王函 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN101452909B ,2009-06-10

[4]

层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法 [P].

郑春生 ;

刘明源 ;

蔡明 .

中国专利 :CN101577244A ,2009-11-11

[5]

层间介质层的填充方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN108389831A ,2018-08-10

[6]

刻蚀金属间介质层的方法 [P].

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN101876074A ,2010-11-03

[7]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[8]

层间介质层的制作方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN101645411A ,2010-02-10

[9]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

[10]

层间介质层的形成方法 [P].

金立培 ;

李宗旭 ;

许隽 ;

张严 .

中国专利 :CN114823288A ,2022-07-29

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