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光半导体装置、具备光半导体装置的光传送装置以及光传送装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280099547.4
申请日：
2022-09-08
公开(公告)号：
CN119816779A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
奥田真也
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
G02F1/017
IPC分类号：
H01S5/026
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
卢英日
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/017申请日:20220908
2025-04-11 公开 公开
共 50 条
[1]
光半导体装置、光模块以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
小川喜之 .
中国专利 :CN112913092A ,2021-06-04
[2]
光半导体元件、光半导体装置、光传输系统以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
稻田智志 ;
大野健一 ;
皆见健史 ;
村上朱实 ;
早川纯一朗 ;
大塚勤 .
日本专利 :CN113711366B ,2024-09-10
[3]
光半导体元件、光半导体装置、光传输系统以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
稻田智志 ;
大野健一 ;
皆见健史 ;
村上朱实 ;
早川纯一朗 ;
大塚勤 .
中国专利 :CN113711366A ,2021-11-26
[4]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
黑川宗高 ;
上坂胜己 ;
上村浩 .
日本专利 :CN120165294A ,2025-06-17
[5]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
前原宏昭 ;
渊田步 .
中国专利 :CN113169521A ,2021-07-23
[6]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
前原宏昭 ;
渊田步 .
日本专利 :CN113169521B ,2024-06-14
[7]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
井上大辅 ;
青山康之祐 .
中国专利 :CN118739028A ,2024-10-01
[8]
光半导体装置的制造方法以及光半导体装置 [P]. 
丸山司 ;
新木隆司 ;
宫地岳广 .
中国专利 :CN114467187A ,2022-05-10
[9]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
一仓启慈 ;
石黒永孝 ;
浦健太 .
中国专利 :CN109690796B ,2019-04-26
[10]
光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P]. 
河原弘幸 ;
中井荣治 .
中国专利 :CN112913095A ,2021-06-04
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