金属硅化物方块电阻的测试结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411630638.3

申请日：

2024-11-15

公开(公告)号：

CN119132941B

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

吕军军陶然

申请人：

浙江创芯集成电路有限公司

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H01L23/544

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	授权	授权
2024-12-13	公开	公开
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241115

共 50 条

[1]

金属硅化物方块电阻的测试结构及其制备方法 [P].

吕军军 ;

陶然 .

中国专利 :CN119132941A ,2024-12-13

[2]

金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法 [P].

肖莉红 .

中国专利 :CN121076053A ,2025-12-05

[3]

金属硅化物的制备方法 [P].

陈华伦 ;

熊涛 ;

陈瑜 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101442005A ,2009-05-27

[4]

金属硅化物的制备方法 [P].

刘莎莎 ;

闫家翔 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

王函 .

中国专利 :CN120936115A ,2025-11-11

[5]

金属硅化物的制备方法 [P].

王媛 ;

张步新 .

中国专利 :CN101431019A ,2009-05-13

[6]

制备金属硅化物的方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN102403211A ,2012-04-04

[7]

金属硅化物的制备方法 [P].

顾学强 ;

肖慧敏 ;

陈力山 .

中国专利 :CN102176414A ,2011-09-07

[8]

制作金属硅化物的方法 [P].

吴兵 .

中国专利 :CN102543701B ,2012-07-04

[9]

金属硅化物制造方法 [P].

罗军 ;

邓坚 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103377894A ,2013-10-30

[10]

金属硅化物薄膜的制备方法 [P].

许广勤 ;

刘运龙 .

中国专利 :CN101399203A ,2009-04-01

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