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半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110382745.9
申请日：
2021-04-09
公开(公告)号：
CN114078499B
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
辛在贤 金兑祜 梁仁坤 林星默
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
G11C7/12
IPC分类号：
G11C8/08 G11C16/10
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
刘久亮;黄纶伟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-18 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
辛在贤 ;
金兑祜 ;
梁仁坤 ;
林星默 .
中国专利 :CN114078499A ,2022-02-22
[2]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李相范 .
中国专利 :CN113160867A ,2021-07-23
[3]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
赵诚勋 ;
沈载星 ;
周瀚洙 ;
蔡熙昶 ;
崔世卿 .
韩国专利 :CN113223581B ,2024-07-23
[4]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
赵诚勋 ;
沈载星 ;
周瀚洙 ;
蔡熙昶 ;
崔世卿 .
中国专利 :CN113223581A ,2021-08-06
[5]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
崔亨进 .
韩国专利 :CN114067886B ,2025-09-26
[6]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
崔亨进 .
中国专利 :CN114067886A ,2022-02-18
[7]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李相范 .
韩国专利 :CN113160867B ,2024-05-17
[8]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李宗勋 .
中国专利 :CN113689894A ,2021-11-23
[9]
半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李熙烈 .
中国专利 :CN110534148A ,2019-12-03
[10]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李宗勋 .
韩国专利 :CN113689894B ,2024-12-31
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