抛光层、抛光垫及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411803950.8

申请日：

2024-12-09

公开(公告)号：

CN119772780A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

罗乙杰毛丽华黄云鹏高越

申请人：

湖北鼎汇微电子材料有限公司湖北鼎龙汇盛新材料有限公司湖北鼎龙控股股份有限公司

申请人地址：

430057 湖北省武汉市武汉经济技术开发区东荆河路1号411号房

IPC主分类号：

B24B37/24

IPC分类号：

B24B37/22 B24D3/00 B24B37/10 B24B7/22 C08G18/66 C08G18/48 C08G18/32 H01L21/306

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河南省郑州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B24B 37/24申请日:20241209
2025-12-16	授权	授权
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

抛光层、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

毛丽华 ;

黄云鹏 ;

高越 .

中国专利 :CN119772780B ,2025-12-16

[2]

抛光垫用组合物、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

郑恩先 ;

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN112094396B ,2020-12-18

[3]

抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

陈博 ;

高越 ;

张季平 .

中国专利 :CN119567090A ,2025-03-07

[4]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN114310656A ,2022-04-12

[5]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN114310656B ,2024-03-08

[6]

多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

安宰仁 ;

徐章源 ;

尹晟勋 ;

文寿泳 ;

甄明玉 .

中国专利 :CN108581822B ,2018-09-28

[7]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

尹晟勋 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN115302401B ,2024-03-08

[8]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

尹晟勋 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115302401A ,2022-11-08

[9]

抛光垫及制造半导体器件的方法 [P].

南幅学 ;

竖山佳邦 ;

矢野博之 ;

河村知男 ;

长谷川亨 .

中国专利 :CN100570826C ,2004-08-11

[10]

抛光层、抛光垫、抛光垫的制造方法及抛光方法 [P].

砂山梓纱 ;

合志佑有子 ;

加藤充 .

日本专利 :CN118574699A ,2024-08-30

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