抛光垫用组合物、抛光垫及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010550604.9

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN112094396B

公开(公告)日：

2020-12-18

发明(设计)人：

郑恩先尹钟旭许惠暎徐章源

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C08G1876

IPC分类号：

C08G1875 C08G1866 C08G1848 C08G1832 C08G1812 C08J904 C08L7508 B24B3724 B24B100 H01L213105

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

王卫彬;金明花

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	公开	公开
2021-04-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C08G 18/76 登记生效日:20210409 变更事项:申请人变更前权利人:SKC株式会社变更后权利人:SKC索密思株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道
2022-08-02	授权	授权
2021-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 18/76 申请日:20200616

共 50 条

[1]

抛光层、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

毛丽华 ;

黄云鹏 ;

高越 .

中国专利 :CN119772780B ,2025-12-16

[2]

抛光层、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

毛丽华 ;

黄云鹏 ;

高越 .

中国专利 :CN119772780A ,2025-04-08

[3]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN114310656A ,2022-04-12

[4]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN114310656B ,2024-03-08

[5]

多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

安宰仁 ;

徐章源 ;

尹晟勋 ;

文寿泳 ;

甄明玉 .

中国专利 :CN108581822B ,2018-09-28

[6]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

郑恩先 ;

安宰仁 .

中国专利 :CN114762953A ,2022-07-19

[7]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

尹晟勋 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN115070608B ,2024-06-07

[8]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

尹晟勋 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115070608A ,2022-09-20

[9]

多孔聚氨酯抛光垫及通过采用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

安宰仁 ;

徐章源 ;

尹晟勋 ;

文寿泳 ;

甄明玉 .

中国专利 :CN108673332B ,2018-10-19

[10]

抛光垫及制造半导体器件的方法 [P].

南幅学 ;

竖山佳邦 ;

矢野博之 ;

河村知男 ;

长谷川亨 .

中国专利 :CN100570826C ,2004-08-11

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