多孔聚氨酯抛光垫及通过采用该抛光垫制备半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810493335.X

申请日：

2018-05-22

公开(公告)号：

CN108673332B

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

安宰仁徐章源尹晟勋文寿泳甄明玉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道平泽市京畿大道1043号

IPC主分类号：

B24B3724

IPC分类号：

B24B3726

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫;熊永强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/24 申请日:20180522
2021-04-27	授权	授权
2021-04-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):B24B 37/24 登记生效日:20210331 变更事项:申请人变更前权利人:SKC株式会社变更后权利人:SKC索密思株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市长安区长安路309番街84 变更后权利人:韩国京畿道平泽市京畿大道1043号
2018-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

安宰仁 ;

徐章源 ;

尹晟勋 ;

文寿泳 ;

甄明玉 .

中国专利 :CN108581822B ,2018-09-28

[2]

多孔聚氨酯抛光垫及其制备半导体器件的方法 [P].

叶华 .

中国专利 :CN115805537B ,2025-09-02

[3]

抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

徐章源 ;

许惠映 .

韩国专利 :CN115431168B ,2024-11-08

[4]

抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

徐章源 ;

许惠映 .

中国专利 :CN115431168A ,2022-12-06

[5]

抛光垫用组合物、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

郑恩先 ;

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN112094396B ,2020-12-18

[6]

抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

安宰仁 ;

金京焕 .

中国专利 :CN114083432A ,2022-02-25

[7]

抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

安宰仁 ;

金京焕 .

韩国专利 :CN119795027A ,2025-04-11

[8]

抛光层、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

毛丽华 ;

黄云鹏 ;

高越 .

中国专利 :CN119772780B ,2025-12-16

[9]

抛光层、抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

毛丽华 ;

黄云鹏 ;

高越 .

中国专利 :CN119772780A ,2025-04-08

[10]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

郑恩先 ;

安宰仁 .

中国专利 :CN114762953A ,2022-07-19

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