多孔聚氨酯抛光垫及其制备半导体器件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211578266.5
申请日
2022-12-09
公开(公告)号
CN115805537B
公开(公告)日
2025-09-02
发明(设计)人
叶华
申请人
南京亨瑞光电科技有限公司
申请人地址
211100 江苏省南京市江宁区胜利路99号名家科技大厦902室(江宁开发区)
IPC主分类号
B24D15/00
IPC分类号
H01L21/67
代理机构
合肥中腾知识产权代理事务所(普通合伙) 34232
代理人
朱家龙
法律状态
授权
国省代码
江苏省 南京市
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共 50 条
[1]
多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P]. 
安宰仁 ;
徐章源 ;
尹晟勋 ;
文寿泳 ;
甄明玉 .
中国专利 :CN108581822B ,2018-09-28
[2]
多孔聚氨酯抛光垫及通过采用该抛光垫制备半导体器件的方法 [P]. 
安宰仁 ;
徐章源 ;
尹晟勋 ;
文寿泳 ;
甄明玉 .
中国专利 :CN108673332B ,2018-10-19
[3]
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P]. 
尹钟旭 ;
许惠暎 ;
安宰仁 ;
金京焕 .
中国专利 :CN114083432A ,2022-02-25
[4]
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P]. 
尹钟旭 ;
许惠暎 ;
安宰仁 ;
金京焕 .
韩国专利 :CN119795027A ,2025-04-11
[5]
抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
尹钟旭 ;
许惠暎 ;
郑恩先 ;
安宰仁 .
中国专利 :CN114762953A ,2022-07-19
[6]
多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法 [P]. 
徐章源 ;
韩赫熙 ;
许惠映 ;
柳俊城 ;
权荣弼 .
中国专利 :CN109689299A ,2019-04-26
[7]
多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法 [P]. 
徐章源 ;
韩赫熙 ;
许惠映 ;
柳俊城 ;
权荣弼 .
韩国专利 :CN115106930B ,2024-07-12
[8]
多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法 [P]. 
徐章源 ;
韩赫熙 ;
许惠映 ;
柳俊城 ;
权荣弼 .
中国专利 :CN115106930A ,2022-09-27
[9]
抛光垫及其制备方法、半导体器件的制造方法 [P]. 
郑恩先 ;
尹钟旭 ;
徐章源 .
中国专利 :CN114161313A ,2022-03-11
[10]
抛光垫及其制备方法以及半导体器件的制备方法 [P]. 
郑恩先 ;
尹钟旭 ;
徐章源 ;
郑勇周 ;
金昇均 .
中国专利 :CN114227531A ,2022-03-25