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多孔聚氨酯抛光垫及其制备半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202211578266.5
申请日
:
2022-12-09
公开(公告)号
:
CN115805537B
公开(公告)日
:
2025-09-02
发明(设计)人
:
叶华
申请人
:
南京亨瑞光电科技有限公司
申请人地址
:
211100 江苏省南京市江宁区胜利路99号名家科技大厦902室(江宁开发区)
IPC主分类号
:
B24D15/00
IPC分类号
:
H01L21/67
代理机构
:
合肥中腾知识产权代理事务所(普通合伙) 34232
代理人
:
朱家龙
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-02
授权
授权
共 50 条
[1]
多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法
[P].
安宰仁
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安宰仁
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徐章源
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徐章源
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尹晟勋
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尹晟勋
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文寿泳
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文寿泳
;
甄明玉
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甄明玉
.
中国专利
:CN108581822B
,2018-09-28
[2]
多孔聚氨酯抛光垫及通过采用该抛光垫制备半导体器件的方法
[P].
安宰仁
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安宰仁
;
徐章源
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徐章源
;
尹晟勋
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尹晟勋
;
文寿泳
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文寿泳
;
甄明玉
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甄明玉
.
中国专利
:CN108673332B
,2018-10-19
[3]
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法
[P].
尹钟旭
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尹钟旭
;
许惠暎
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许惠暎
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安宰仁
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安宰仁
;
金京焕
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金京焕
.
中国专利
:CN114083432A
,2022-02-25
[4]
抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法
[P].
尹钟旭
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SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
尹钟旭
;
许惠暎
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SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
许惠暎
;
安宰仁
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SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
安宰仁
;
金京焕
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机构:
SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
金京焕
.
韩国专利
:CN119795027A
,2025-04-11
[5]
抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法
[P].
尹钟旭
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尹钟旭
;
许惠暎
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许惠暎
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郑恩先
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郑恩先
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安宰仁
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安宰仁
.
中国专利
:CN114762953A
,2022-07-19
[6]
多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法
[P].
徐章源
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徐章源
;
韩赫熙
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韩赫熙
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许惠映
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许惠映
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柳俊城
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柳俊城
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权荣弼
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权荣弼
.
中国专利
:CN109689299A
,2019-04-26
[7]
多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法
[P].
徐章源
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SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
徐章源
;
韩赫熙
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SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
韩赫熙
;
许惠映
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SK恩普士有限公司
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;
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SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
柳俊城
;
权荣弼
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机构:
SK恩普士有限公司
SK恩普士有限公司
权荣弼
.
韩国专利
:CN115106930B
,2024-07-12
[8]
多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法
[P].
徐章源
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徐章源
;
韩赫熙
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韩赫熙
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许惠映
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许惠映
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柳俊城
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柳俊城
;
权荣弼
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权荣弼
.
中国专利
:CN115106930A
,2022-09-27
[9]
抛光垫及其制备方法、半导体器件的制造方法
[P].
郑恩先
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郑恩先
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尹钟旭
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尹钟旭
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徐章源
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徐章源
.
中国专利
:CN114161313A
,2022-03-11
[10]
抛光垫及其制备方法以及半导体器件的制备方法
[P].
郑恩先
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郑恩先
;
尹钟旭
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尹钟旭
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郑勇周
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金昇均
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金昇均
.
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:CN114227531A
,2022-03-25
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