学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种高电阻率掺锶硅酸镓镧晶体及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510075282.X
申请日：
2025-01-17
公开(公告)号：
CN119824541A
公开(公告)日：
2025-04-15
发明(设计)人：
吉成 张俊凯 王宇凡 雷小勇 陈亚南
申请人：
苏州晶采电子科技有限公司 合烯电子科技（江苏）有限公司
申请人地址：
215126 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区2栋113室
IPC主分类号：
C30B29/34
IPC分类号：
C30B28/02 C30B15/00 C30B11/00 C30B13/00
代理机构：
江苏圣典律师事务所 32237
代理人：
徐芝强;肖明芳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 苏州市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/34申请日:20250117
2025-04-15 公开 公开
共 50 条
[1]
电阻率分布均匀的掺镓晶体硅及其制备方法 [P]. 
张帅 ;
朱常任 ;
郭晓琛 ;
王双丽 .
中国专利 :CN104846437B ,2015-08-19
[2]
一种大尺寸高电阻率钽酸镓镧晶体的制备方法 [P]. 
沈丽明 ;
王帅 ;
暴宁钟 ;
燕克兰 .
中国专利 :CN113106547B ,2021-07-13
[3]
一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法 [P]. 
吉成 ;
沈丽明 .
中国专利 :CN114000196A ,2022-02-01
[4]
一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法 [P]. 
吉成 ;
沈丽明 .
中国专利 :CN114000196B ,2024-02-09
[5]
一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法 [P]. 
王升 ;
郑燕青 ;
熊开南 ;
涂小牛 ;
殷利斌 ;
孔海宽 ;
施尔畏 .
中国专利 :CN111058092A ,2020-04-24
[6]
一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法 [P]. 
熊开南 ;
郑燕青 ;
涂小牛 ;
林全明 ;
李亚乔 ;
施尔畏 .
中国专利 :CN104695017A ,2015-06-10
[7]
硅酸镧镓晶片及其制备方法 [P]. 
V·V·阿列科夫 ;
O·A·布扎诺夫 ;
A·B·格里岑科 ;
G·G·科兹诺夫 .
中国专利 :CN1251625A ,2000-04-26
[8]
一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法 [P]. 
杨志 ;
刘有益 ;
程立波 ;
钟旭 ;
沈浩平 ;
王彦君 ;
王林 ;
李建军 .
中国专利 :CN115341267B ,2024-07-30
[9]
一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法 [P]. 
杨志 ;
刘有益 ;
程立波 ;
钟旭 ;
沈浩平 ;
王彦君 ;
王林 ;
李建军 .
中国专利 :CN115341267A ,2022-11-15
[10]
高电阻率高锆砖及其制备方法 [P]. 
张红哲 ;
张艺锋 ;
闫建敏 .
中国专利 :CN117326864A ,2024-01-02
12345