一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111289595.3

申请日：

2021-11-02

公开(公告)号：

CN114000196B

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

吉成沈丽明

申请人：

苏州晶采电子科技有限公司

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区2栋113室

IPC主分类号：

C30B29/34

IPC分类号：

C30B29/30 C30B28/00

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

许冬莹

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法 [P].

吉成 ;

沈丽明 .

中国专利 :CN114000196A ,2022-02-01

[2]

一种高电阻率掺锶硅酸镓镧晶体及其制备方法 [P].

吉成 ;

张俊凯 ;

王宇凡 ;

雷小勇 ;

陈亚南 .

中国专利 :CN119824541A ,2025-04-15

[3]

一种硅酸镓镧系列晶体生长方法 [P].

石自彬 ;

李和新 ;

龙勇 .

中国专利 :CN106222750A ,2016-12-14

[4]

硅酸镓镧晶体元件的生产方法 [P].

朱木典 ;

郑燕青 ;

朱柳典 ;

张茁 .

中国专利 :CN101834270B ,2010-09-15

[5]

铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 [P].

张庆礼 ;

张琦 .

中国专利 :CN103603046A ,2014-02-26

[6]

一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法 [P].

王升 ;

郑燕青 ;

熊开南 ;

涂小牛 ;

殷利斌 ;

孔海宽 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN111058092A ,2020-04-24

[7]

硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品 [P].

涂小牛 ;

郑燕青 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103911662B ,2014-07-09

[8]

一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法 [P].

罗毅 .

中国专利 :CN109183155A ,2019-01-11

[9]

铬、锰或钴掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 [P].

张琦 ;

张永华 .

中国专利 :CN103603047B ,2014-02-26

[10]

一种新型硅酸镓镧族晶体及其电光系数优化方法和应用 [P].

路大治 ;

韩金锋 ;

梁飞 ;

于浩海 ;

张怀金 .

中国专利 :CN117305982B ,2024-11-22

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