一种新型硅酸镓镧族晶体及其电光系数优化方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311305311.4

申请日：

2023-10-10

公开(公告)号：

CN117305982B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

路大治韩金锋梁飞于浩海张怀金

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B29/34

IPC分类号：

C30B15/20 H01S3/115 H01S3/16

代理机构：

北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465

代理人：

杨倩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/34申请日:20231010
2024-11-22	授权	授权

共 40 条

[1]

硅酸镓镧族固溶体晶体的有效非线性光学系数优化方法 [P].

于浩海 ;

路大治 ;

王玉周 ;

张怀金 ;

王继扬 .

中国专利 :CN115185137B ,2024-10-08

[2]

一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法 [P].

吉成 ;

沈丽明 .

中国专利 :CN114000196A ,2022-02-01

[3]

一种硅酸镓镧系列晶体多晶料及其制备方法 [P].

吉成 ;

沈丽明 .

中国专利 :CN114000196B ,2024-02-09

[4]

硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品 [P].

涂小牛 ;

郑燕青 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103911662B ,2014-07-09

[5]

一种硅酸镓镧系列晶体生长方法 [P].

石自彬 ;

李和新 ;

龙勇 .

中国专利 :CN106222750A ,2016-12-14

[6]

铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 [P].

张庆礼 ;

张琦 .

中国专利 :CN103603046A ,2014-02-26

[7]

一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法 [P].

王升 ;

郑燕青 ;

熊开南 ;

涂小牛 ;

殷利斌 ;

孔海宽 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN111058092A ,2020-04-24

[8]

一种高电阻率掺锶硅酸镓镧晶体及其制备方法 [P].

吉成 ;

张俊凯 ;

王宇凡 ;

雷小勇 ;

陈亚南 .

中国专利 :CN119824541A ,2025-04-15

[9]

一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法 [P].

罗毅 .

中国专利 :CN109183155A ,2019-01-11

[10]

铬、锰或钴掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 [P].

张琦 ;

张永华 .

中国专利 :CN103603047B ,2014-02-26

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