特气供给装置及离子注入设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421367157.3

申请日：

2024-06-14

公开(公告)号：

CN222749432U

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

曹建伟沈文杰沈加富刘宏伟黄剑利安园昊孟文淇李杰佘垒

申请人：

浙江求是创芯半导体设备有限公司

申请人地址：

311106 浙江省杭州市临平区临平街道经济技术开发区顺达路500号1幢103室

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/317 F17D1/02 F17D3/01 F17D5/00

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

王君

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

特气供给装置及离子注入设备 [P].

曹建伟 ;

沈文杰 ;

沈加富 ;

刘宏伟 ;

黄剑利 ;

安园昊 ;

孟文淇 ;

李杰 ;

佘垒 .

中国专利 :CN222672961U ,2025-03-25

[2]

离子注入设备、离子注入装置 [P].

廖祥华 ;

贺金良 ;

余懍智 ;

杨树鑫 .

中国专利 :CN223552495U ,2025-11-14

[3]

离子注入设备及离子注入方法 [P].

松本贵雄 ;

织平浩一 ;

中尾和浩 ;

中村光则 .

中国专利 :CN100505140C ,2006-06-28

[4]

离子注入设备及离子注入方法 [P].

於成星 ;

刘小辉 ;

张和 ;

周静兰 ;

刘修忠 ;

沈保家 ;

李军辉 .

中国专利 :CN112820613B ,2021-05-18

[5]

离子注入设备及离子注入方法 [P].

应力平 ;

严骏 ;

裴雷洪 .

中国专利 :CN103972011B ,2014-08-06

[6]

离子注入设备及离子注入方法 [P].

松本贵雄 ;

织平浩一 ;

中尾和浩 ;

中村光则 .

中国专利 :CN1427446A ,2003-07-02

[7]

离子注入设备 [P].

徐义 ;

张时阁 .

中国专利 :CN209804588U ,2019-12-17

[8]

离子注入设备 [P].

洪俊华 ;

沈培俊 .

中国专利 :CN203932014U ,2014-11-05

[9]

离子注入设备 [P].

何川 ;

洪俊华 ;

张劲 ;

陈炯 ;

杨勇 .

中国专利 :CN207269015U ,2018-04-24

[10]

离子注入设备 [P].

何川 ;

洪俊华 ;

张劲 ;

陈炯 ;

杨勇 .

中国专利 :CN207458887U ,2018-06-05

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