提高器件长期使用可靠性的SiC器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421476064.4

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN222706894U

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

王正杨程裘俊庆王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性的SiC MOSFET器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN222051772U ,2024-11-22

[2]

一种提高栅氧可靠性的SiC器件及制备方法 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN118888449A ,2024-11-01

[3]

可提高GaN器件可靠性的器件结构 [P].

刘春利 .

中国专利 :CN211455693U ,2020-09-08

[4]

提高SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

林钢 .

中国专利 :CN102005415A ,2011-04-06

[5]

提高器件反向耐压能力的SiC器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

万胜堂 ;

王坤 ;

王毅 .

中国专利 :CN223310190U ,2025-09-05

[6]

高可靠性的SiC MOSFET器件的制备方法及其结构 [P].

邵锦文 ;

贾仁需 ;

侯同晓 ;

元磊 ;

汤晓燕 .

中国专利 :CN108321080A ,2018-07-24

[7]

提高存储器件可靠性的制造方法 [P].

蒋辉 ;

李志国 ;

王卉 ;

周洋 ;

梁轩铭 ;

闫亦 .

中国专利 :CN120500045A ,2025-08-15

[8]

一种高可靠性SiC MOSFET器件 [P].

李轩 ;

肖家木 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN109244137A ,2019-01-18

[9]

高可靠性的功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN212750868U ,2021-03-19

[10]

高可靠性功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538826U ,2019-02-22

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