基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210858802.0

申请日：

2022-07-20

公开(公告)号：

CN115332385B

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

徐杨李宗文曹小雪张致翔田丰柴健俞滨

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H10F30/227

IPC分类号：

H10F30/225 H10F77/122 H10F77/1223 H10F77/14 H10F71/00

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

刘静

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	授权	授权

共 50 条

[1]

基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

徐杨 ;

李宗文 ;

曹小雪 ;

张致翔 ;

田丰 ;

柴健 ;

俞滨 .

中国专利 :CN115332385A ,2022-11-11

[2]

基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

徐杨 ;

万霞 ;

王雪 ;

郭宏伟 ;

王锋 ;

施添锦 ;

孟楠 ;

俞滨 .

中国专利 :CN104157721B ,2014-11-19

[3]

基于石墨烯/砷化镓肖特基结的近红外光电探测器 [P].

陈俊 ;

赵阳阳 .

中国专利 :CN114220873A ,2022-03-22

[4]

基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

刘炜 ;

宋一凡 ;

张耀 ;

刘泽宇 ;

屈文娟 .

中国专利 :CN121152338A ,2025-12-16

[5]

一种硅-石墨烯雪崩光电探测器 [P].

戴道锌 .

中国专利 :CN104157722B ,2014-11-19

[6]

一种含有插层的石墨烯/硅肖特基结光电探测器及制备工艺 [P].

杨树明 ;

吉培瑞 ;

王筱岷 ;

张泽 ;

王亮亮 .

中国专利 :CN112993075B ,2021-06-18

[7]

基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法 [P].

狄增峰 ;

马喆 ;

薛忠营 ;

张苗 ;

梅永丰 .

中国专利 :CN108933183A ,2018-12-04

[8]

基于石墨烯纳米带红外光电探测器及其制备方法 [P].

李虎 ;

孙宇 ;

韩索菲亚 .

中国专利 :CN118943228A ,2024-11-12

[9]

p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法 [P].

罗林保 ;

曾龙辉 ;

谢超 ;

于永强 ;

梁凤霞 .

中国专利 :CN103280484A ,2013-09-04

[10]

PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法 [P].

胡斐 ;

孙剑 ;

陆明 .

中国专利 :CN110718596A ,2020-01-21

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