PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910858210.7

申请日：

2019-09-11

公开(公告)号：

CN110718596A

公开(公告)日：

2020-01-21

发明(设计)人：

胡斐孙剑陆明

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310236 H01L31103 H01L31108 H01L3111 H01L3118

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-21	公开	公开
2020-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20190911
2021-11-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请公布日:20200121

共 50 条

[1]

室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法 [P].

吴锂 ;

孙剑 ;

陆明 ;

胡斐 ;

戴希远 .

中国专利 :CN113517372A ,2021-10-19

[2]

基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 [P].

何伟 ;

明安杰 ;

薛惠琼 ;

焦斌斌 ;

欧毅 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101441112B ,2009-05-27

[3]

基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

徐杨 ;

李宗文 ;

曹小雪 ;

张致翔 ;

田丰 ;

柴健 ;

俞滨 .

中国专利 :CN115332385A ,2022-11-11

[4]

基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

徐杨 ;

李宗文 ;

曹小雪 ;

张致翔 ;

田丰 ;

柴健 ;

俞滨 .

中国专利 :CN115332385B ,2025-04-15

[5]

基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 [P].

何伟 ;

明安杰 ;

薛惠琼 ;

焦斌斌 ;

欧毅 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101435722A ,2009-05-20

[6]

一种双肖特基结硅基近红外光电探测器及其制备方法 [P].

俞亮 ;

陆明 ;

孙剑 ;

杨颜如 ;

沈丹 .

中国专利 :CN119855260A ,2025-04-18

[7]

硅锗/硅异质结内发射红外探测器 [P].

张翔九 ;

胡际璜 .

中国专利 :CN2480823Y ,2002-03-06

[8]

一种硅基同质结红外探测器及其制备方法和应用 [P].

李庆 ;

肖云龙 ;

邓科 ;

张坤 ;

王鹏 ;

胡伟达 .

中国专利 :CN120897531A ,2025-11-04

[9]

基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

刘炜 ;

宋一凡 ;

张耀 ;

刘泽宇 ;

屈文娟 .

中国专利 :CN121152338A ,2025-12-16

[10]

一种基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器及其制备方法 [P].

龚汉红 ;

谭必松 ;

毛剑宏 .

中国专利 :CN118472106A ,2024-08-09

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