硅锗/硅异质结内发射红外探测器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN01246269.1

申请日：

2001-06-29

公开(公告)号：

CN2480823Y

公开(公告)日：

2002-03-06

发明(设计)人：

张翔九胡际璜

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

G01J100

IPC分类号：

H01L310264

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

陆飞

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-03-06	授权	授权
2007-08-29	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

3－5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法 [P].

张翔九 ;

胡际璜 .

中国专利 :CN1137521C ,2001-11-21

[2]

一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料 [P].

张翔九 ;

胡际璜 .

中国专利 :CN1324115A ,2001-11-28

[3]

硅红外探测器 [P].

王迅 ;

叶令 ;

胡际璜 .

中国专利 :CN1116705A ,1996-02-14

[4]

硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片 [P].

程雨 ;

刘海龙 ;

王成刚 .

中国专利 :CN113270518A ,2021-08-17

[5]

硅基锗光电探测器 [P].

周治平 ;

涂芝娟 ;

华锋 ;

王会涛 ;

张琦 .

中国专利 :CN106328751A ,2017-01-11

[6]

配体调控超晶格异质结红外探测器 [P].

陈振浚 ;

刘霄 ;

王创垒 ;

郭钰东 .

中国专利 :CN115623796A ,2023-01-17

[7]

非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法 [P].

史衍丽 ;

余连杰 ;

何雯瑾 ;

邓功荣 ;

李雄军 ;

杨丽丽 ;

姬荣斌 .

中国专利 :CN102903783A ,2013-01-30

[8]

硅基异质结紫外探测器及其制造方法 [P].

侯尧楠 ;

梅增霞 ;

梁会力 ;

叶大千 ;

梁爽 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN102820366A ,2012-12-12

[9]

硅基量子点红外探测器 [P].

陈培毅 ;

魏榕山 ;

邓宁 .

中国专利 :CN2678141Y ,2005-02-09

[10]

PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法 [P].

胡斐 ;

孙剑 ;

陆明 .

中国专利 :CN110718596A ,2020-01-21

← 1 2 3 4 5 →