3－5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01113204.3

申请日：

2001-06-29

公开(公告)号：

CN1137521C

公开(公告)日：

2001-11-21

发明(设计)人：

张翔九胡际璜

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L31109

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

陆飞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-27	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2001-11-21	公开	公开
2004-02-04	授权	授权

共 50 条

[1]

硅锗/硅异质结内发射红外探测器 [P].

张翔九 ;

胡际璜 .

中国专利 :CN2480823Y ,2002-03-06

[2]

一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料 [P].

张翔九 ;

胡际璜 .

中国专利 :CN1324115A ,2001-11-28

[3]

硅锗集成光探测器及其制备方法 [P].

祝晓昆 .

中国专利 :CN109728128A ,2019-05-07

[4]

PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法 [P].

胡斐 ;

孙剑 ;

陆明 .

中国专利 :CN110718596A ,2020-01-21

[5]

非制冷红外探测器及其制备方法 [P].

陈志勇 ;

李文杰 ;

陈明 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN113324662A ,2021-08-31

[6]

硅基异质结紫外探测器及其制造方法 [P].

侯尧楠 ;

梅增霞 ;

梁会力 ;

叶大千 ;

梁爽 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN102820366A ,2012-12-12

[7]

一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

成步文 ;

刘智 ;

武文周 ;

薛春来 ;

李传波 ;

张华 .

中国专利 :CN107068784B ,2017-08-18

[8]

非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法 [P].

史衍丽 ;

余连杰 ;

何雯瑾 ;

邓功荣 ;

李雄军 ;

杨丽丽 ;

姬荣斌 .

中国专利 :CN102903783A ,2013-01-30

[9]

一种水平沟槽型锗硅红外探测器及其制备方法 [P].

李志华 ;

成文政 ;

刘曼文 .

中国专利 :CN117894870A ,2024-04-16

[10]

一种锗硅光电探测器及其制备方法 [P].

刘健 ;

胡双元 .

中国专利 :CN105470318A ,2016-04-06

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