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半导体结构及其形成方法、存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911220158.9
申请日：
2019-12-03
公开(公告)号：
CN112908840B
公开(公告)日：
2025-04-01
发明(设计)人：
请求不公布姓名
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H10D64/01
IPC分类号：
H10D64/27
H10D84/83
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-01 | 授权 | 授权 |