一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411902299.X

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119736700A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

齐红基黄东阳徐子骞

申请人：

杭州富加镓业科技有限公司

申请人地址：

311421 浙江省杭州市富阳区大源镇塘子畈街200号孵化楼A幢7楼701室

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/16

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

刘芙蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20241223
2025-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置 [P].

唐慧丽 ;

徐军 ;

罗平 ;

吴锋 ;

王庆国 ;

张超逸 ;

薛艳艳 .

中国专利 :CN215440759U ,2022-01-07

[2]

一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法 [P].

唐慧丽 ;

徐军 ;

罗平 ;

吴锋 ;

王庆国 ;

张超逸 ;

薛艳艳 .

中国专利 :CN113445125A ,2021-09-28

[3]

一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法 [P].

唐慧丽 ;

徐军 ;

罗平 ;

吴锋 ;

王庆国 ;

张超逸 ;

薛艳艳 .

中国专利 :CN113445125B ,2024-01-23

[4]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[5]

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P].

周娟 ;

徐家跃 ;

华王祥 ;

范世 .

中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08

[6]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

秦娟 ;

孙栋晴 .

中国专利 :CN117344371A ,2024-01-05

[7]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[8]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[9]

五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

李新华 ;

吴宪君 .

中国专利 :CN101280456B ,2008-10-08

[10]

锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

徐家跃 ;

周娟 ;

武安华 ;

华王祥 ;

林雅芳 ;

陆宝亮 ;

童健 ;

范世 .

中国专利 :CN1213176C ,2003-08-06

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