锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03115421.2

申请日：

2003-02-14

公开(公告)号：

CN1213176C

公开(公告)日：

2003-08-06

发明(设计)人：

徐家跃周娟武安华华王祥林雅芳陆宝亮童健范世

申请人：

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2932

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005242584 IPC(主分类):C30B 15/00 专利号:ZL031154212 申请日:20030214 授权公告日:20050803
2005-08-03	授权	授权
2003-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

齐红基 ;

李百中 ;

赛青林 ;

王晓亮 ;

张建忠 ;

马笑山 .

中国专利 :CN108060456A ,2018-05-22

[2]

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P].

周娟 ;

徐家跃 ;

华王祥 ;

范世 .

中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08

[3]

钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

吴宪君 ;

马军 ;

陈灯华 .

中国专利 :CN104088015A ,2014-10-08

[4]

五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

李新华 ;

吴宪君 .

中国专利 :CN101280456B ,2008-10-08

[5]

硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺 [P].

徐家跃 ;

张爱琼 ;

丁嘉煊 ;

侍敏莉 ;

林雅芳 ;

钱国兴 .

中国专利 :CN1563511A ,2005-01-12

[6]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[7]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

秦娟 ;

孙栋晴 .

中国专利 :CN117344371A ,2024-01-05

[8]

一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法 [P].

齐红基 ;

黄东阳 ;

徐子骞 .

中国专利 :CN119736700A ,2025-04-01

[9]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[10]

一种非真空坩埚下降法生长碘化锶闪烁晶体的方法 [P].

秦来顺 ;

史宏声 ;

舒康颖 .

中国专利 :CN101982568B ,2011-03-02

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