铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711319598.0

申请日：

2017-12-12

公开(公告)号：

CN108060456A

公开(公告)日：

2018-05-22

发明(设计)人：

齐红基李百中赛青林王晓亮张建忠马笑山

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区清河路390号

IPC主分类号：

C30B2922

IPC分类号：

C30B1102

代理机构：

上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317

代理人：

张宁展

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-22	公开	公开
2020-03-13	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 29/22 申请公布日:20180522
2018-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/22 申请日:20171212

共 50 条

[1]

钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

吴宪君 ;

马军 ;

陈灯华 .

中国专利 :CN104088015A ,2014-10-08

[2]

锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

徐家跃 ;

周娟 ;

武安华 ;

华王祥 ;

林雅芳 ;

陆宝亮 ;

童健 ;

范世 .

中国专利 :CN1213176C ,2003-08-06

[3]

五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

李新华 ;

吴宪君 .

中国专利 :CN101280456B ,2008-10-08

[4]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[5]

硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺 [P].

徐家跃 ;

张爱琼 ;

丁嘉煊 ;

侍敏莉 ;

林雅芳 ;

钱国兴 .

中国专利 :CN1563511A ,2005-01-12

[6]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

秦娟 ;

孙栋晴 .

中国专利 :CN117344371A ,2024-01-05

[7]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[8]

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P].

周娟 ;

徐家跃 ;

华王祥 ;

范世 .

中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08

[9]

多坩埚下降法晶体生长系统 [P].

万尤宝 .

中国专利 :CN200992592Y ,2007-12-19

[10]

旋转多坩埚下降法晶体生长系统 [P].

万尤宝 .

中国专利 :CN101070608B ,2007-11-14

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