钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410369352.4

申请日：

2014-07-30

公开(公告)号：

CN104088015A

公开(公告)日：

2014-10-08

发明(设计)人：

吴宪君马军陈灯华

申请人：

申请人地址：

200443 上海市宝山区大康路319号B座402室

IPC主分类号：

C30B2932

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

彭茜茜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587994571 IPC(主分类):C30B 29/32 专利申请号:2014103693524 申请日:20140730
2014-10-08	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752696964 IPC(主分类):C30B 29/32 专利申请号:2014103693524 申请公布日:20141008

共 50 条

[1]

五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

李新华 ;

吴宪君 .

中国专利 :CN101280456B ,2008-10-08

[2]

铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

齐红基 ;

李百中 ;

赛青林 ;

王晓亮 ;

张建忠 ;

马笑山 .

中国专利 :CN108060456A ,2018-05-22

[3]

锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

徐家跃 ;

周娟 ;

武安华 ;

华王祥 ;

林雅芳 ;

陆宝亮 ;

童健 ;

范世 .

中国专利 :CN1213176C ,2003-08-06

[4]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[5]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

秦娟 ;

孙栋晴 .

中国专利 :CN117344371A ,2024-01-05

[6]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[7]

一种铝酸镧晶体的生长方法 [P].

吴宪君 ;

李新华 ;

何庆波 .

中国专利 :CN101280459A ,2008-10-08

[8]

多坩埚下降法晶体生长系统 [P].

万尤宝 .

中国专利 :CN200992592Y ,2007-12-19

[9]

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P].

周娟 ;

徐家跃 ;

华王祥 ;

范世 .

中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08

[10]

钼酸铅单晶的坩埚下降法生长工艺 [P].

陈红兵 .

中国专利 :CN100489162C ,2005-07-06

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