一种铝酸镧晶体的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710173605.0

申请日：

2007-12-28

公开(公告)号：

CN101280459A

公开(公告)日：

2008-10-08

发明(设计)人：

吴宪君李新华何庆波

申请人：

申请人地址：

200443上海市宝山区大康路319号B座402室

IPC主分类号：

C30B2924

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

朱黎明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-08	公开	公开
2021-12-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/24 登记生效日:20211123 变更事项:专利权人变更前权利人:上海晶生实业有限公司变更后权利人:苏州晶生新材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:200443 上海市宝山区大康路319号B座402室变更后权利人:215400 江苏省苏州市太仓市城厢镇良辅路6号3楼南侧
2008-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

钛酸镧单晶的生长技术 [P].

吴宪君 ;

李新华 ;

徐家跃 ;

张道标 ;

顾宝林 .

中国专利 :CN100572617C ,2007-10-31

[2]

钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

吴宪君 ;

马军 ;

陈灯华 .

中国专利 :CN104088015A ,2014-10-08

[3]

铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

齐红基 ;

李百中 ;

赛青林 ;

王晓亮 ;

张建忠 ;

马笑山 .

中国专利 :CN108060456A ,2018-05-22

[4]

五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

李新华 ;

吴宪君 .

中国专利 :CN101280456B ,2008-10-08

[5]

铈钇铝石榴石晶体生长方法 [P].

蔡州 ;

蔡鸿 .

中国专利 :CN102168307A ,2011-08-31

[6]

掺铈铝酸钇晶体的生长方法 [P].

徐军 ;

曾雄辉 ;

赵广军 ;

何晓明 ;

李红军 ;

庞辉勇 ;

介明印 ;

李抒智 ;

张连翰 .

中国专利 :CN1526859A ,2004-09-08

[7]

铝酸镁尖晶石晶体的生长方法 [P].

周圣明 ;

徐军 ;

司继良 ;

彭观良 ;

蒋成勇 ;

周国清 ;

杨卫桥 ;

赵广军 ;

杭寅 .

中国专利 :CN1477241A ,2004-02-25

[8]

一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法 [P].

高雪松 .

中国专利 :CN107177886B ,2017-09-19

[9]

一种氧化钽多晶镀膜材料及其生长方法 [P].

李新华 .

中国专利 :CN105986316A ,2016-10-05

[10]

一种α-NaYF4单晶体的生长方法 [P].

夏海平 ;

杨硕 ;

姜永章 ;

张加忠 ;

符立 ;

董艳明 ;

李珊珊 ;

张约品 .

中国专利 :CN104264223A ,2015-01-07

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