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一种利用高分子量固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202421584898.7
申请日：
2024-07-05
公开(公告)号：
CN222781538U
公开(公告)日：
2025-04-22
发明(设计)人：
李思维 解荣军 涂惠彬 王淇
申请人：
厦门大学
申请人地址：
361005 福建省厦门市思明区思明南路422号
IPC主分类号：
C04B35/589
IPC分类号：
C04B35/591 C04B35/626 B82Y40/00
代理机构：
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200
代理人：
马应森
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-22 授权 授权
共 50 条
[1]
利用高分子量固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851106A ,2024-10-29
[2]
利用高分子量固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851106B ,2025-10-31
[3]
一种利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置 [P]. 
李思维 ;
解荣军 ;
涂惠彬 ;
王淇 .
中国专利 :CN222834218U ,2025-05-06
[4]
利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851107A ,2024-10-29
[5]
利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851107B ,2025-10-31
[6]
一种利用液态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851108A ,2024-10-29
[7]
一种利用液态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851108B ,2025-10-14
[8]
高分子量聚碳硅烷及其制备方法 [P]. 
吴宝林 ;
侯振华 .
中国专利 :CN108219148B ,2018-06-29
[9]
一种高分子量聚碳硅烷及其制备方法 [P]. 
郑桦 ;
陈柏林 ;
吴晓东 ;
张和生 .
中国专利 :CN113201140B ,2021-08-03
[10]
高分子量高线性的聚碳硅烷及其制备方法与应用 [P]. 
吴宝林 ;
侯振华 .
中国专利 :CN109762169A ,2019-05-17
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