利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410900288.1
申请日
2024-07-05
公开(公告)号
CN118851107B
公开(公告)日
2025-10-31
发明(设计)人
解荣军 李思维
申请人
厦门大学
申请人地址
361005 福建省厦门市思明区思明南路422号
IPC主分类号
C01B21/068
IPC分类号
代理机构
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200
代理人
马应森
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851107A ,2024-10-29
[2]
一种利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置 [P]. 
李思维 ;
解荣军 ;
涂惠彬 ;
王淇 .
中国专利 :CN222834218U ,2025-05-06
[3]
利用高分子量固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851106A ,2024-10-29
[4]
利用高分子量固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851106B ,2025-10-31
[5]
一种利用液态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851108A ,2024-10-29
[6]
一种利用液态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法 [P]. 
解荣军 ;
李思维 .
中国专利 :CN118851108B ,2025-10-14
[7]
一种利用高分子量固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置 [P]. 
李思维 ;
解荣军 ;
涂惠彬 ;
王淇 .
中国专利 :CN222781538U ,2025-04-22
[8]
氮化硅纳米线制备方法,氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P]. 
雷超 ;
魏飞 ;
张晨曦 .
中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08
[9]
高纯氮化硅纳米粉制备技术及应用 [P]. 
周曦东 ;
刘兰英 .
中国专利 :CN115520842A ,2022-12-27
[10]
一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法 [P]. 
梁峰 ;
张海军 ;
张少伟 ;
鲁礼林 ;
李发亮 ;
段红娟 ;
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中国专利 :CN105036097B ,2015-11-11