一种利用放电等离子体烧结方法制备磁控溅射用PZT靶材的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510203709.X

申请日：

2025-02-24

公开(公告)号：

CN119797912A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

武海军杨智博周相宏彭古扬宋彤张杨

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

IPC主分类号：

C04B35/491

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/64 C23C14/35

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

季海菊

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/491申请日:20250224

共 50 条

[1]

一种放电等离子体烧结制备金刚石烧结体的方法 [P].

王艳辉 ;

臧建兵 ;

周小琳 .

中国专利 :CN103121673B ,2013-05-29

[2]

一种放电等离子体烧结制备锆合金的方法 [P].

马文 ;

邢书沛 ;

白亚奎 ;

凌云汉 ;

董红英 ;

金喜龙 .

中国专利 :CN104451259A ,2015-03-25

[3]

一种磁控溅射用BNT靶材及利用热压法制备BNT靶材的方法 [P].

武海军 ;

刘子雨 ;

彭古扬 .

中国专利 :CN117735980A ,2024-03-22

[4]

一种铍铝合金的放电等离子体烧结制备方法 [P].

刘向东 ;

张鹏程 ;

高瑞 ;

王志毅 ;

李冰清 ;

徐庆东 .

中国专利 :CN108486397A ,2018-09-04

[5]

一种无压放电等离子体烧结陶瓷的方法 [P].

吴甲民 ;

马伊欣 ;

程立金 ;

陈安南 ;

刘荣臻 ;

陈双 ;

文世峰 ;

史玉升 ;

李晨辉 .

中国专利 :CN109081700A ,2018-12-25

[6]

一种放电等离子体烧结制备ODS铁基合金的方法 [P].

刘祖铭 ;

段清龙 ;

郭旸 ;

麻梦梅 ;

王帅 ;

段然曦 ;

辜恩泽 .

中国专利 :CN105154756A ,2015-12-16

[7]

一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备AZO陶瓷靶材的方法 [P].

李召阳 ;

李彬 ;

李继文 ;

上官林建 ;

聂福全 ;

贾铁昆 ;

史训旺 ;

陈智勇 ;

刘冀尧 ;

侯建 ;

李慕禹 .

中国专利 :CN118373679A ,2024-07-23

[8]

一种高效放电等离子体烧结模具 [P].

陈曦 .

中国专利 :CN214920480U ,2021-11-30

[9]

一种高熔点LED用荧光玻璃及放电等离子体烧结制备方法 [P].

邱建备 ;

朱睿 ;

李振财 ;

周大成 ;

杨勇 ;

杨正文 ;

宋志国 .

中国专利 :CN108793733A ,2018-11-13

[10]

一种磁控溅射用BZT靶材的制备方法 [P].

李玲霞 ;

孙正 ;

郑浩然 ;

罗伟嘉 .

中国专利 :CN105036740B ,2015-11-11

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