一种磁控溅射用BZT靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510362728.3

申请日：

2015-06-26

公开(公告)号：

CN105036740B

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

李玲霞孙正郑浩然罗伟嘉

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C04B3549 C04B35622

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2021-06-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20150626 授权公告日:20170426 终止日期:20200626
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636442703 IPC(主分类):C04B 35/49 专利申请号:2015103627283 申请日:20150626
2015-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法 [P].

李玲霞 ;

郑浩然 ;

孙正 ;

罗伟嘉 ;

于仕辉 .

中国专利 :CN105060883A ,2015-11-18

[2]

一种磁控溅射用BNT靶材及利用热压法制备BNT靶材的方法 [P].

武海军 ;

刘子雨 ;

彭古扬 .

中国专利 :CN117735980A ,2024-03-22

[3]

一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法 [P].

李玲霞 ;

孙正 ;

郑浩然 ;

于仕辉 ;

许丹 .

中国专利 :CN104591729B ,2015-05-06

[4]

一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜 [P].

徐惠彬 ;

张虎 ;

高明 ;

王方方 ;

祝钦清 .

中国专利 :CN117051369B ,2024-01-05

[5]

一种利用放电等离子体烧结方法制备磁控溅射用PZT靶材的方法 [P].

武海军 ;

杨智博 ;

周相宏 ;

彭古扬 ;

宋彤 ;

张杨 .

中国专利 :CN119797912A ,2025-04-11

[6]

一种镧掺杂钛酸钡靶材的制备方法 [P].

耿寒松 ;

曹彦伟 ;

张如意 ;

裴宇娟 ;

宋洋 ;

毕佳畅 ;

彭邵勤 .

中国专利 :CN112500155B ,2022-06-14

[7]

一种溅射靶材用镍铬合金的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113025847A ,2021-06-25

[8]

一种ITO靶材的制备方法 [P].

骆树立 ;

王建堂 ;

李庆丰 ;

骆如河 ;

骆如田 ;

骆胜华 ;

骆胜磊 .

中国专利 :CN102173817A ,2011-09-07

[9]

一种ITO溅射靶材的制备方法 [P].

王永超 ;

赵泽良 ;

贾时君 ;

尤青文 .

中国专利 :CN113788669A ,2021-12-14

[10]

一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN101914753A ,2010-12-15

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