一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410827242.8

申请日：

2014-12-26

公开(公告)号：

CN104591729B

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

李玲霞孙正郑浩然于仕辉许丹

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C04B3548

IPC分类号：

C04B35622 C23C1435

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	公开	公开
2021-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/48 申请日:20141226 授权公告日:20170222 终止日期:20201226
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611568730 IPC(主分类):C04B 35/48 专利申请号:2014108272428 申请日:20141226
2017-02-22	授权	授权

共 50 条

[1]

合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法 [P].

程凡雄 ;

姜传海 ;

吴建生 ;

董显平 ;

单爱党 .

中国专利 :CN1304630C ,2005-05-11

[2]

混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041475A ,2011-05-04

[3]

双靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041476B ,2011-05-04

[4]

磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜 [P].

秦娟 ;

孙纽一 ;

王国华 ;

张敏 ;

吴纯清 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103280399A ,2013-09-04

[5]

一种混合靶磁控溅射法制备高介电薄膜的方法 [P].

袁萍 .

中国专利 :CN104451572A ,2015-03-25

[6]

一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN102864427A ,2013-01-09

[7]

一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN101914753A ,2010-12-15

[8]

一种磁控溅射用BZT靶材的制备方法 [P].

李玲霞 ;

孙正 ;

郑浩然 ;

罗伟嘉 .

中国专利 :CN105036740B ,2015-11-11

[9]

一种采用磁控溅射法制备金属支撑单体的方法 [P].

刘亚迪 ;

胡浩然 .

中国专利 :CN113355643A ,2021-09-07

[10]

一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法 [P].

李文英 ;

尹桂林 ;

张柯 ;

姜新来 ;

钟建 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102719792A ,2012-10-10

← 1 2 3 4 5 →