双靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010616147.5

申请日：

2010-12-30

公开(公告)号：

CN102041476B

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

卢靖黄剑锋曹丽云吴建鹏赵东辉

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1435 C30B2506 C30B2932

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

陆万寿

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-25	授权	授权
2016-02-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101647543992 IPC(主分类):C23C 14/06 专利号:ZL2010106161475 申请日:20101230 授权公告日:20120725 终止日期:20141230
2011-05-04	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080106150 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2010106161475 申请日:20101230

共 50 条

[1]

混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041475A ,2011-05-04

[2]

合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法 [P].

程凡雄 ;

姜传海 ;

吴建生 ;

董显平 ;

单爱党 .

中国专利 :CN1304630C ,2005-05-11

[3]

磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜 [P].

秦娟 ;

孙纽一 ;

王国华 ;

张敏 ;

吴纯清 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103280399A ,2013-09-04

[4]

一种混合靶磁控溅射法制备高介电薄膜的方法 [P].

袁萍 .

中国专利 :CN104451572A ,2015-03-25

[5]

利用磁控溅射法制备复合银钛氧化物抗菌薄膜的方法 [P].

吴韬 ;

杨文平 ;

王琦 ;

丁靓 ;

王海华 .

中国专利 :CN101717920A ,2010-06-02

[6]

一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN102864427A ,2013-01-09

[7]

一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN101914753A ,2010-12-15

[8]

射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法 [P].

韩圣浩 ;

吕茂水 ;

叶丽娜 ;

庞智勇 ;

修显武 .

中国专利 :CN1718841A ,2006-01-11

[9]

磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法 [P].

金平实 ;

曹逊 ;

姜萌 ;

周怀娟 ;

罗宏杰 ;

包山虎 .

中国专利 :CN104099563A ,2014-10-15

[10]

一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法 [P].

王海钱 ;

苏豪凯 ;

温刘平 ;

吴智升 ;

王伯宇 ;

王晓强 .

中国专利 :CN106958008A ,2017-07-18

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