一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710089165.4

申请日：

2017-02-20

公开(公告)号：

CN106958008A

公开(公告)日：

2017-07-18

发明(设计)人：

王海钱苏豪凯温刘平吴智升王伯宇王晓强

申请人：

申请人地址：

066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区泰山路143号东北大学秦皇岛分校

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362

代理人：

郭防;王培境

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101740566988 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2017100891654 申请日:20170220
2020-02-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20170718
2017-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法 [P].

金平实 ;

曹逊 ;

姜萌 ;

周怀娟 ;

罗宏杰 ;

包山虎 .

中国专利 :CN104099563A ,2014-10-15

[2]

一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN102864427A ,2013-01-09

[3]

一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN101914753A ,2010-12-15

[4]

一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法 [P].

尹荔松 ;

向成承 ;

周克省 ;

蓝键 ;

马思琪 ;

涂驰周 .

中国专利 :CN109457227A ,2019-03-12

[5]

磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜 [P].

秦娟 ;

孙纽一 ;

王国华 ;

张敏 ;

吴纯清 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103280399A ,2013-09-04

[6]

一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法 [P].

陈贵锋 ;

刘飞飞 ;

张娇 ;

赵晓丽 ;

张辉 .

中国专利 :CN104213090A ,2014-12-17

[7]

混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041475A ,2011-05-04

[8]

双靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041476B ,2011-05-04

[9]

一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法 [P].

李文英 ;

尹桂林 ;

张柯 ;

姜新来 ;

钟建 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102719792A ,2012-10-10

[10]

一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法 [P].

羊新胜 ;

魏占涛 ;

张敏 ;

赵勇 ;

闫勇 .

中国专利 :CN104152856A ,2014-11-19

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