一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010259803.0

申请日：

2010-08-23

公开(公告)号：

CN101914753A

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

贾小氢刘晓宇康琳吴培亨

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

C23C1414

IPC分类号：

C23C1435

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101457161809 IPC(主分类):C23C 14/14 专利申请号:2010102598030 申请公布日:20101215
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035091264 IPC(主分类):C23C 14/14 专利申请号:2010102598030 申请日:20100823

共 50 条

[1]

一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN102864427A ,2013-01-09

[2]

一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

杨小忠 ;

王翔 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN104630709A ,2015-05-20

[3]

磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜 [P].

秦娟 ;

孙纽一 ;

王国华 ;

张敏 ;

吴纯清 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103280399A ,2013-09-04

[4]

一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法 [P].

王海钱 ;

苏豪凯 ;

温刘平 ;

吴智升 ;

王伯宇 ;

王晓强 .

中国专利 :CN106958008A ,2017-07-18

[5]

射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法 [P].

韩圣浩 ;

吕茂水 ;

叶丽娜 ;

庞智勇 ;

修显武 .

中国专利 :CN1718841A ,2006-01-11

[6]

一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法 [P].

李文英 ;

尹桂林 ;

张柯 ;

姜新来 ;

钟建 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102719792A ,2012-10-10

[7]

一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法 [P].

陈贵锋 ;

刘飞飞 ;

张娇 ;

赵晓丽 ;

张辉 .

中国专利 :CN104213090A ,2014-12-17

[8]

利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的AZO薄膜的方法 [P].

黄峰 ;

孟凡平 ;

李朋 .

中国专利 :CN105063560A ,2015-11-18

[9]

一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

付凤凤 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN105154840A ,2015-12-16

[10]

混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041475A ,2011-05-04

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