合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410066585.3

申请日：

2004-09-23

公开(公告)号：

CN1304630C

公开(公告)日：

2005-05-11

发明(设计)人：

程凡雄姜传海吴建生董显平单爱党

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101020687884 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2004100665853 申请日:20040923 授权公告日:20070314 终止日期:20091023
2007-03-14	授权	授权
2005-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜 [P].

秦娟 ;

孙纽一 ;

王国华 ;

张敏 ;

吴纯清 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103280399A ,2013-09-04

[2]

混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041475A ,2011-05-04

[3]

双靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041476B ,2011-05-04

[4]

一种采用磁控溅射法制备PBZ薄膜用的PBZ靶材的制备方法 [P].

李玲霞 ;

孙正 ;

郑浩然 ;

于仕辉 ;

许丹 .

中国专利 :CN104591729B ,2015-05-06

[5]

射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法 [P].

韩圣浩 ;

吕茂水 ;

叶丽娜 ;

庞智勇 ;

修显武 .

中国专利 :CN1718841A ,2006-01-11

[6]

一种混合靶磁控溅射法制备高介电薄膜的方法 [P].

袁萍 .

中国专利 :CN104451572A ,2015-03-25

[7]

一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN102864427A ,2013-01-09

[8]

一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN101914753A ,2010-12-15

[9]

磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法 [P].

金平实 ;

曹逊 ;

姜萌 ;

周怀娟 ;

罗宏杰 ;

包山虎 .

中国专利 :CN104099563A ,2014-10-15

[10]

一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法 [P].

羊新胜 ;

魏占涛 ;

张敏 ;

赵勇 ;

闫勇 .

中国专利 :CN104152856A ,2014-11-19

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