一种低毒性氧化亚铜系半导体涂层材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411779795.0

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN119822809A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

乌凯陈钢锋万思明党腾华

申请人：

陕西航空电气有限责任公司

申请人地址：

713107 陕西省咸阳市兴平市西城区45号信箱

IPC主分类号：

C04B35/45

IPC分类号：

C04B35/622 C04B41/88

代理机构：

中国航空专利中心 11008

代理人：

张昕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/45申请日:20241205
2025-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化亚铜半导体陶瓷材料及其制备方法 [P].

乌凯 ;

万思明 .

中国专利 :CN107857583B ,2018-03-30

[2]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

张志敏 .

中国专利 :CN106119923A ,2016-11-16

[3]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

李强 ;

翟玉纯 .

中国专利 :CN102732928A ,2012-10-17

[4]

一种负载型氧化亚铜纳米材料及其制备方法 [P].

张宗超 ;

聂学忠 ;

贾秀全 ;

陈徐锞 .

中国专利 :CN115608358A ,2023-01-17

[5]

一种氧化亚铜纳米材料制备方法 [P].

邓大松 ;

胡文全 .

中国专利 :CN112919526A ,2021-06-08

[6]

一种纳米氧化亚铜基染料吸附材料及其制备方法 [P].

孙红艳 ;

张跃忠 ;

王晓宇 .

中国专利 :CN108435149A ,2018-08-24

[7]

一种钯‑氧化亚铜网状纳米催化材料及其制备和应用 [P].

杨海峰 ;

吉媛媛 .

中国专利 :CN106299391A ,2017-01-04

[8]

纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料及其制备方法 [P].

蓝碧健 .

中国专利 :CN104194266A ,2014-12-10

[9]

一种钌/氧化亚铜电催化材料及其制备方法 [P].

曹达鹏 ;

高静 ;

王迪 .

中国专利 :CN109811364B ,2019-05-28

[10]

一种空心氧化亚铜纳米材料及其制备方法 [P].

冯莉莉 ;

崔大祥 .

中国专利 :CN102515244B ,2012-06-27

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