氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610735705.7

申请日：

2016-08-26

公开(公告)号：

CN106119923A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

张志敏

申请人：

申请人地址：

300270 天津市滨海新区（大港）中塘镇薛卫台村社区服务中心（天津中塘工业区内）115-1室

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	公开	公开
2020-05-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D 9/04 申请公布日:20161116

共 50 条

[1]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

李强 ;

翟玉纯 .

中国专利 :CN102732928A ,2012-10-17

[2]

氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

李强 ;

翟玉纯 .

中国专利 :CN102732927A ,2012-10-17

[3]

氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

熊良斌 ;

余华清 ;

肖永军 ;

王波云 ;

方绍桦 ;

李双明 .

中国专利 :CN107324374A ,2017-11-07

[4]

一种低毒性氧化亚铜系半导体涂层材料及其制备方法 [P].

乌凯 ;

陈钢锋 ;

万思明 ;

党腾华 .

中国专利 :CN119822809A ,2025-04-15

[5]

纳米氧化亚铜粉的制备方法 [P].

黄德欢 ;

李宗全 ;

吕春菊 .

中国专利 :CN1305772C ,2005-11-09

[6]

丝兰状氧化亚铜的制备方法 [P].

储德清 ;

胡文辉 ;

陈翔宇 ;

王立鹏 ;

王振凤 ;

孙晶晶 ;

杨会芳 .

中国专利 :CN107840360A ,2018-03-27

[7]

一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法 [P].

余颖 ;

余罗 ;

邱明强 .

中国专利 :CN104947165B ,2015-09-30

[8]

氧化亚铜的制备方法 [P].

沈祖达 .

中国专利 :CN102190327A ,2011-09-21

[9]

氧化亚铜的制备方法 [P].

刘少军 ;

张宏生 ;

王莉 ;

尚玉明 ;

何向明 ;

李建军 ;

王要武 ;

高剑 ;

罗晶 .

中国专利 :CN104098121A ,2014-10-15

[10]

一种氧化亚铜电极的制备方法 [P].

王西新 ;

印泽坤 ;

赵建玲 ;

李子庆 .

中国专利 :CN111676498A ,2020-09-18

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