一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510288549.X

申请日：

2015-05-29

公开(公告)号：

CN104947165B

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

余颖余罗邱明强

申请人：

申请人地址：

430079 湖北省武汉市洪山区珞瑜路152号华中师范大学

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	公开	公开
2017-11-17	授权	授权
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631733557 IPC(主分类):C25D 9/04 专利申请号:201510288549X 申请日:20150529
2022-05-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20150529 授权公告日:20171117 终止日期:20210529

共 50 条

[1]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

张志敏 .

中国专利 :CN106119923A ,2016-11-16

[2]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

李强 ;

翟玉纯 .

中国专利 :CN102732928A ,2012-10-17

[3]

氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

熊良斌 ;

余华清 ;

肖永军 ;

王波云 ;

方绍桦 ;

李双明 .

中国专利 :CN107324374A ,2017-11-07

[4]

p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备 [P].

余颖 ;

熊良斌 .

中国专利 :CN101774629A ,2010-07-14

[5]

氧化亚铜的制备方法 [P].

刘少军 ;

张宏生 ;

王莉 ;

尚玉明 ;

何向明 ;

李建军 ;

王要武 ;

高剑 ;

罗晶 .

中国专利 :CN104098121A ,2014-10-15

[6]

基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法 [P].

杨鹰 ;

韩娟 ;

魏蓉 ;

宁晓辉 ;

李简 .

中国专利 :CN107204284B ,2017-09-26

[7]

一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法 [P].

叶凡 ;

蔡兴民 ;

王欢 ;

苏小强 ;

范平 ;

张东平 ;

罗景庭 ;

郑壮豪 ;

梁广兴 .

中国专利 :CN104846335A ,2015-08-19

[8]

一种制备氧化亚铜薄膜的方法 [P].

方亚林 ;

言智 ;

孙明轩 ;

王莹 ;

邓卫之 .

中国专利 :CN104233433A ,2014-12-24

[9]

一种氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

李俊强 ;

梅增霞 ;

叶大千 ;

崔秀芝 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN102623521A ,2012-08-01

[10]

一种制备氧化亚铜粉的方法 [P].

邓洪民 ;

范桂芳 ;

李金霞 .

中国专利 :CN102390861A ,2012-03-28

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