一种氧化亚铜薄膜的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110033968.0
申请日
2011-01-31
公开(公告)号
CN102623521A
公开(公告)日
2012-08-01
发明(设计)人
李俊强 梅增霞 叶大千 崔秀芝 杜小龙
申请人
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
IPC主分类号
H01L31032
IPC分类号
H01L3118
代理机构
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280
代理人
王勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化亚铜薄膜的制备方法 [P]. 
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[2]
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[3]
一种制备氧化亚铜薄膜的方法 [P]. 
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[4]
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[5]
一种氧化亚铜薄膜及其制备方法与应用 [P]. 
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[6]
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[7]
氧化亚铜的制备方法 [P]. 
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[8]
氧化亚铜的制备方法 [P]. 
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[9]
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[10]
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