一种氧化亚铜薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810911040.X

申请日：

2018-08-10

公开(公告)号：

CN109087967A

公开(公告)日：

2018-12-25

发明(设计)人：

赵传熙麦文杰刘于金

申请人：

申请人地址：

510632 广东省广州市天河区黄埔大道西601号

IPC主分类号：

H01L31074

IPC分类号：

H01L310336 H01L3118

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

雷月华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/074 申请日:20180810
2021-08-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/074 申请公布日:20181225
2018-12-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法 [P].

叶凡 ;

蔡兴民 ;

王欢 ;

苏小强 ;

范平 ;

张东平 ;

罗景庭 ;

郑壮豪 ;

梁广兴 .

中国专利 :CN104846335A ,2015-08-19

[2]

一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法 [P].

叶凡 ;

蔡兴民 ;

苏小强 ;

范平 ;

张东平 .

中国专利 :CN106129174A ,2016-11-16

[3]

氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

熊良斌 ;

余华清 ;

肖永军 ;

王波云 ;

方绍桦 ;

李双明 .

中国专利 :CN107324374A ,2017-11-07

[4]

一种氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

李俊强 ;

梅增霞 ;

叶大千 ;

崔秀芝 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN102623521A ,2012-08-01

[5]

纳米结构氧化亚铜光电转换薄膜及其制备方法和应用 [P].

徐伟 ;

夏鹏 ;

张辉 ;

甘营 .

中国专利 :CN108264242A ,2018-07-10

[6]

一种制备单一相透明导电氧化亚铜薄膜的方法 [P].

洪瑞金 ;

王进霞 ;

陶春先 ;

张大伟 .

中国专利 :CN105821379A ,2016-08-03

[7]

一种制备氧化亚铜薄膜的方法 [P].

方亚林 ;

言智 ;

孙明轩 ;

王莹 ;

邓卫之 .

中国专利 :CN104233433A ,2014-12-24

[8]

纳米氧化亚铜及其制备方法和应用 [P].

郑文富 ;

付金龙 .

中国专利 :CN113307300A ,2021-08-27

[9]

一种择优取向可调谐的氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

洪瑞金 ;

王进霞 ;

张大伟 ;

陶春先 .

中国专利 :CN106191797A ,2016-12-07

[10]

一种氧化亚铜薄膜及其制备方法和太阳能电池 [P].

宋怡瑶 ;

董鑫 ;

李建军 ;

何博 ;

刘童 ;

徐希翔 .

中国专利 :CN118516641A ,2024-08-20

← 1 2 3 4 5 →