一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610531429.2

申请日：

2016-07-07

公开(公告)号：

CN106129174A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

叶凡蔡兴民苏小强范平张东平

申请人：

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	授权	授权
2016-11-16	公开	公开
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691384495 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2016105314292 申请日:20160707

共 50 条

[1]

一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法 [P].

叶凡 ;

蔡兴民 ;

王欢 ;

苏小强 ;

范平 ;

张东平 ;

罗景庭 ;

郑壮豪 ;

梁广兴 .

中国专利 :CN104846335A ,2015-08-19

[2]

一种氧化亚铜薄膜及其制备方法与应用 [P].

赵传熙 ;

麦文杰 ;

刘于金 .

中国专利 :CN109087967A ,2018-12-25

[3]

氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

熊良斌 ;

余华清 ;

肖永军 ;

王波云 ;

方绍桦 ;

李双明 .

中国专利 :CN107324374A ,2017-11-07

[4]

一种氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

李俊强 ;

梅增霞 ;

叶大千 ;

崔秀芝 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN102623521A ,2012-08-01

[5]

一种氧化亚铜薄膜及其制备方法和太阳能电池 [P].

宋怡瑶 ;

董鑫 ;

李建军 ;

何博 ;

刘童 ;

徐希翔 .

中国专利 :CN118516641A ,2024-08-20

[6]

一种制备氧化亚铜薄膜的方法 [P].

方亚林 ;

言智 ;

孙明轩 ;

王莹 ;

邓卫之 .

中国专利 :CN104233433A ,2014-12-24

[7]

一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法 [P].

王晓峰 ;

李丽娟 ;

霍自强 ;

王军喜 ;

李晋闽 ;

曾一平 .

中国专利 :CN105525349A ,2016-04-27

[8]

一种制备单一相透明导电氧化亚铜薄膜的方法 [P].

洪瑞金 ;

王进霞 ;

陶春先 ;

张大伟 .

中国专利 :CN105821379A ,2016-08-03

[9]

一种高质量p型氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

朱丽萍 ;

牛文哲 ;

王怡尘 .

中国专利 :CN105967220A ,2016-09-28

[10]

纳米结构氧化亚铜光电转换薄膜及其制备方法和应用 [P].

徐伟 ;

夏鹏 ;

张辉 ;

甘营 .

中国专利 :CN108264242A ,2018-07-10

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