一种基于MESFET和变容二极管的电调基片集成波导均衡器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411835138.3

申请日：

2024-12-13

公开(公告)号：

CN119787984A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

彭浩张帅康薛娜祁子言陈际名刘宇周翼鸿杨涛

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H03D7/14

IPC分类号：

H01P1/20

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

余涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03D 7/14申请日:20241213
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于变容二极管和PIN二极管的基片集成波导电调凹坑型均衡器 [P].

彭浩 ;

祁子言 ;

薛娜 ;

刘宇 ;

周翼鸿 ;

杨涛 .

中国专利 :CN117748075A ,2024-03-22

[2]

一种基于PIN二极管的电调基片集成波导均衡器 [P].

彭浩 ;

张臣 ;

杨洋 ;

刘宇 ;

周翼鸿 ;

杨涛 .

中国专利 :CN116014394B ,2024-05-24

[3]

一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器 [P].

刘伯文 ;

崔平 ;

王雷 .

中国专利 :CN214480479U ,2021-10-22

[4]

一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器 [P].

刘伯文 ;

崔平 ;

王雷 .

中国专利 :CN113014202A ,2021-06-22

[5]

一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器 [P].

刘伯文 ;

崔平 ;

王雷 .

中国专利 :CN113014202B ,2024-11-05

[6]

基于基片集成波导的均衡器 [P].

赖邱亮 ;

曾欣 .

中国专利 :CN106099302A ,2016-11-09

[7]

基于基片集成波导的均衡器 [P].

蒋跃宇 ;

刘绍东 ;

吴博科 ;

承昊新 ;

钱瑛 ;

许刚红 ;

王康 .

中国专利 :CN215420331U ,2022-01-04

[8]

一种基片集成波导均衡器 [P].

彭浩 ;

吴源浩 ;

赵发举 ;

刘宇 ;

周翼鸿 ;

杨涛 .

中国专利 :CN110752426A ,2020-02-04

[9]

一种基于变容二极管内埋的基片集成波导连续移相器 [P].

彭浩 ;

江鹏 ;

杨涛 .

中国专利 :CN104518262A ,2015-04-15

[10]

变容二极管和制造变容二极管的方法 [P].

F·R·J·休斯曼 ;

O·J·A·拜克 ;

W·拜奇 .

中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19

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