一种基于变容二极管和PIN二极管的基片集成波导电调凹坑型均衡器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410007179.7

申请日：

2024-01-03

公开(公告)号：

CN117748075A

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

彭浩祁子言薛娜刘宇周翼鸿杨涛

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01P1/22

IPC分类号：

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

余涛

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-22	公开	公开
2024-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01P 1/22申请日:20240103

共 50 条

[1]

一种基于MESFET和变容二极管的电调基片集成波导均衡器 [P].

彭浩 ;

张帅康 ;

薛娜 ;

祁子言 ;

陈际名 ;

刘宇 ;

周翼鸿 ;

杨涛 .

中国专利 :CN119787984A ,2025-04-08

[2]

一种基于PIN二极管的电调基片集成波导均衡器 [P].

彭浩 ;

张臣 ;

杨洋 ;

刘宇 ;

周翼鸿 ;

杨涛 .

中国专利 :CN116014394B ,2024-05-24

[3]

一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器 [P].

刘伯文 ;

崔平 ;

王雷 .

中国专利 :CN214480479U ,2021-10-22

[4]

一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器 [P].

刘伯文 ;

崔平 ;

王雷 .

中国专利 :CN113014202A ,2021-06-22

[5]

一种基于变容二极管和PIN二极管的可调幅度均衡器 [P].

刘伯文 ;

崔平 ;

王雷 .

中国专利 :CN113014202B ,2024-11-05

[6]

变容二极管和制造变容二极管的方法 [P].

F·R·J·休斯曼 ;

O·J·A·拜克 ;

W·拜奇 .

中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19

[7]

变容二极管及变容二极管系统 [P].

格哈德·卡门 .

中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15

[8]

变容二极管 [P].

池田洋一 .

中国专利 :CN1913159A ,2007-02-14

[9]

变容二极管 [P].

曾伟翔 ;

陈信全 ;

李庆民 ;

杨宗凯 .

中国专利 :CN214378462U ,2021-10-08

[10]

变容二极管 [P].

F·蒙塞尤尔 .

法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14

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