变容二极管及变容二极管系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410145645.4

申请日：

2014-04-11

公开(公告)号：

CN104103425B

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

格哈德·卡门

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01G516

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

宋颖娉;宋志强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	公开	公开
2018-08-24	授权	授权
2016-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652158940 IPC(主分类):H01G 5/16 专利申请号:2014101456454 申请日:20140411

共 50 条

[1]

变容二极管 [P].

池田洋一 .

中国专利 :CN1913159A ,2007-02-14

[2]

变容二极管 [P].

曾伟翔 ;

陈信全 ;

李庆民 ;

杨宗凯 .

中国专利 :CN214378462U ,2021-10-08

[3]

变容二极管 [P].

F·蒙塞尤尔 .

法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14

[4]

变容二极管和制造变容二极管的方法 [P].

F·R·J·休斯曼 ;

O·J·A·拜克 ;

W·拜奇 .

中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19

[5]

模拟变容二极管 [P].

P·范科伦兰 ;

L·林 ;

A·M·马克斯 ;

S·D·威林厄姆 .

中国专利 :CN101263653B ,2008-09-10

[6]

变容二极管和用于制造变容二极管的方法 [P].

安德烈埃·特斯蒂诺 .

中国专利 :CN102667982A ,2012-09-12

[7]

双重堆叠变容二极管 [P].

彼得·V·赖特 ;

蒂莫西·S·亨德森 .

中国专利 :CN105097956A ,2015-11-25

[8]

交错偏置变容二极管 [P].

艾哈迈德·埃米拉 ;

费萨尔·侯赛因 .

中国专利 :CN110392982A ,2019-10-29

[9]

变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法 [P].

苏亮宇 ;

姚智文 ;

段孝勤 ;

雷明达 .

中国专利 :CN111092125A ,2020-05-01

[10]

变容二极管及其制造方法 [P].

林秀 .

中国专利 :CN101211988B ,2008-07-02

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