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交错偏置变容二极管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980001256.5
申请日
:
2019-06-05
公开(公告)号
:
CN110392982A
公开(公告)日
:
2019-10-29
发明(设计)人
:
艾哈迈德·埃米拉
费萨尔·侯赛因
申请人
:
申请人地址
:
518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
IPC主分类号
:
H03L7099
IPC分类号
:
H03L718
H03B512
代理机构
:
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
:
范华英;毛威
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-11-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H03L 7/099 申请日:20190605
2019-10-29
公开
公开
共 50 条
[1]
变容二极管及变容二极管系统
[P].
格哈德·卡门
论文数:
0
引用数:
0
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0
格哈德·卡门
.
中国专利
:CN104103425B
,2014-10-15
[2]
变容二极管
[P].
池田洋一
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池田洋一
.
中国专利
:CN1913159A
,2007-02-14
[3]
变容二极管
[P].
曾伟翔
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曾伟翔
;
陈信全
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陈信全
;
李庆民
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李庆民
;
杨宗凯
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杨宗凯
.
中国专利
:CN214378462U
,2021-10-08
[4]
变容二极管
[P].
F·蒙塞尤尔
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机构:
意法半导体(克洛尔2)公司
意法半导体(克洛尔2)公司
F·蒙塞尤尔
.
法国专利
:CN118198151A
,2024-06-14
[5]
变容二极管和制造变容二极管的方法
[P].
F·R·J·休斯曼
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F·R·J·休斯曼
;
O·J·A·拜克
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O·J·A·拜克
;
W·拜奇
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W·拜奇
.
中国专利
:CN1165586A
,1997-11-19
[6]
模拟变容二极管
[P].
P·范科伦兰
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P·范科伦兰
;
L·林
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L·林
;
A·M·马克斯
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A·M·马克斯
;
S·D·威林厄姆
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S·D·威林厄姆
.
中国专利
:CN101263653B
,2008-09-10
[7]
变容二极管和用于制造变容二极管的方法
[P].
安德烈埃·特斯蒂诺
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安德烈埃·特斯蒂诺
.
中国专利
:CN102667982A
,2012-09-12
[8]
双重堆叠变容二极管
[P].
彼得·V·赖特
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彼得·V·赖特
;
蒂莫西·S·亨德森
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蒂莫西·S·亨德森
.
中国专利
:CN105097956A
,2015-11-25
[9]
变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法
[P].
苏亮宇
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苏亮宇
;
姚智文
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姚智文
;
段孝勤
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段孝勤
;
雷明达
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雷明达
.
中国专利
:CN111092125A
,2020-05-01
[10]
一种变容二极管
[P].
霍树栋
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
霍树栋
;
高云云
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
高云云
;
张正兴
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
张正兴
.
中国专利
:CN223730187U
,2025-12-26
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