交错偏置变容二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980001256.5
申请日
2019-06-05
公开(公告)号
CN110392982A
公开(公告)日
2019-10-29
发明(设计)人
艾哈迈德·埃米拉 费萨尔·侯赛因
申请人
申请人地址
518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
IPC主分类号
H03L7099
IPC分类号
H03L718 H03B512
代理机构
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
范华英;毛威
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
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变容二极管及变容二极管系统 [P]. 
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变容二极管 [P]. 
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变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法 [P]. 
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一种变容二极管 [P]. 
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