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一种变容二极管
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202423323508.3
申请日
:
2024-12-31
公开(公告)号
:
CN223730187U
公开(公告)日
:
2025-12-26
发明(设计)人
:
霍树栋
高云云
张正兴
申请人
:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
申请人地址
:
215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城38号楼4-8
IPC主分类号
:
H10D8/00
IPC分类号
:
H10D62/10
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
周策
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-26
授权
授权
共 50 条
[1]
变容二极管及变容二极管系统
[P].
格哈德·卡门
论文数:
0
引用数:
0
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0
格哈德·卡门
.
中国专利
:CN104103425B
,2014-10-15
[2]
变容二极管
[P].
池田洋一
论文数:
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0
池田洋一
.
中国专利
:CN1913159A
,2007-02-14
[3]
变容二极管
[P].
曾伟翔
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0
曾伟翔
;
陈信全
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陈信全
;
李庆民
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李庆民
;
杨宗凯
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杨宗凯
.
中国专利
:CN214378462U
,2021-10-08
[4]
变容二极管
[P].
F·蒙塞尤尔
论文数:
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机构:
意法半导体(克洛尔2)公司
意法半导体(克洛尔2)公司
F·蒙塞尤尔
.
法国专利
:CN118198151A
,2024-06-14
[5]
变容二极管和制造变容二极管的方法
[P].
F·R·J·休斯曼
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F·R·J·休斯曼
;
O·J·A·拜克
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O·J·A·拜克
;
W·拜奇
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W·拜奇
.
中国专利
:CN1165586A
,1997-11-19
[6]
模拟变容二极管
[P].
P·范科伦兰
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P·范科伦兰
;
L·林
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L·林
;
A·M·马克斯
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A·M·马克斯
;
S·D·威林厄姆
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S·D·威林厄姆
.
中国专利
:CN101263653B
,2008-09-10
[7]
变容二极管和用于制造变容二极管的方法
[P].
安德烈埃·特斯蒂诺
论文数:
0
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安德烈埃·特斯蒂诺
.
中国专利
:CN102667982A
,2012-09-12
[8]
一种变容二极管及其制备方法
[P].
霍树栋
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
霍树栋
;
高云云
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
高云云
;
封兆青
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
封兆青
;
张正兴
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机构:
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
张正兴
.
中国专利
:CN119403136A
,2025-02-07
[9]
双重堆叠变容二极管
[P].
彼得·V·赖特
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彼得·V·赖特
;
蒂莫西·S·亨德森
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蒂莫西·S·亨德森
.
中国专利
:CN105097956A
,2015-11-25
[10]
交错偏置变容二极管
[P].
艾哈迈德·埃米拉
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艾哈迈德·埃米拉
;
费萨尔·侯赛因
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费萨尔·侯赛因
.
中国专利
:CN110392982A
,2019-10-29
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