一种变容二极管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202423323508.3
申请日
2024-12-31
公开(公告)号
CN223730187U
公开(公告)日
2025-12-26
发明(设计)人
霍树栋 高云云 张正兴
申请人
苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
申请人地址
215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城38号楼4-8
IPC主分类号
H10D8/00
IPC分类号
H10D62/10
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
周策
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
变容二极管及变容二极管系统 [P]. 
格哈德·卡门 .
中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15
[2]
变容二极管 [P]. 
池田洋一 .
中国专利 :CN1913159A ,2007-02-14
[3]
变容二极管 [P]. 
曾伟翔 ;
陈信全 ;
李庆民 ;
杨宗凯 .
中国专利 :CN214378462U ,2021-10-08
[4]
变容二极管 [P]. 
F·蒙塞尤尔 .
法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14
[5]
变容二极管和制造变容二极管的方法 [P]. 
F·R·J·休斯曼 ;
O·J·A·拜克 ;
W·拜奇 .
中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19
[6]
模拟变容二极管 [P]. 
P·范科伦兰 ;
L·林 ;
A·M·马克斯 ;
S·D·威林厄姆 .
中国专利 :CN101263653B ,2008-09-10
[7]
变容二极管和用于制造变容二极管的方法 [P]. 
安德烈埃·特斯蒂诺 .
中国专利 :CN102667982A ,2012-09-12
[8]
一种变容二极管及其制备方法 [P]. 
霍树栋 ;
高云云 ;
封兆青 ;
张正兴 .
中国专利 :CN119403136A ,2025-02-07
[9]
双重堆叠变容二极管 [P]. 
彼得·V·赖特 ;
蒂莫西·S·亨德森 .
中国专利 :CN105097956A ,2015-11-25
[10]
交错偏置变容二极管 [P]. 
艾哈迈德·埃米拉 ;
费萨尔·侯赛因 .
中国专利 :CN110392982A ,2019-10-29