变容二极管和用于制造变容二极管的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080058831.4
申请日
2010-12-21
公开(公告)号
CN102667982A
公开(公告)日
2012-09-12
发明(设计)人
安德烈埃·特斯蒂诺
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01G704
IPC分类号
H01G706 H01L2993
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
张春水;田军锋
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
变容二极管和制造变容二极管的方法 [P]. 
F·R·J·休斯曼 ;
O·J·A·拜克 ;
W·拜奇 .
中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19
[2]
变容二极管 [P]. 
池田洋一 .
中国专利 :CN1913159A ,2007-02-14
[3]
变容二极管及变容二极管系统 [P]. 
格哈德·卡门 .
中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15
[4]
变容二极管 [P]. 
曾伟翔 ;
陈信全 ;
李庆民 ;
杨宗凯 .
中国专利 :CN214378462U ,2021-10-08
[5]
变容二极管 [P]. 
F·蒙塞尤尔 .
法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14
[6]
模拟变容二极管 [P]. 
P·范科伦兰 ;
L·林 ;
A·M·马克斯 ;
S·D·威林厄姆 .
中国专利 :CN101263653B ,2008-09-10
[7]
变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法 [P]. 
苏亮宇 ;
姚智文 ;
段孝勤 ;
雷明达 .
中国专利 :CN111092125A ,2020-05-01
[8]
制造肖特基变容二极管的方法 [P]. 
R·德克 ;
H·G·R·马尔斯 ;
A·赫林加 ;
H·施里藤霍尔斯特 .
中国专利 :CN1288726C ,2002-10-02
[9]
双重堆叠变容二极管 [P]. 
彼得·V·赖特 ;
蒂莫西·S·亨德森 .
中国专利 :CN105097956A ,2015-11-25
[10]
交错偏置变容二极管 [P]. 
艾哈迈德·埃米拉 ;
费萨尔·侯赛因 .
中国专利 :CN110392982A ,2019-10-29