制造肖特基变容二极管的方法

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专利类型
发明
申请号
CN01801189.6
申请日
2001-02-13
公开(公告)号
CN1288726C
公开(公告)日
2002-10-02
发明(设计)人
R·德克 H·G·R·马尔斯 A·赫林加 H·施里藤霍尔斯特
申请人
申请人地址
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
H01L21329
IPC分类号
H01L2993 H01L218222
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
罗朋;张志醒
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
变容二极管和制造变容二极管的方法 [P]. 
F·R·J·休斯曼 ;
O·J·A·拜克 ;
W·拜奇 .
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[2]
变容二极管 [P]. 
F·蒙塞尤尔 .
法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14
[3]
变容二极管和用于制造变容二极管的方法 [P]. 
安德烈埃·特斯蒂诺 .
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变容二极管 [P]. 
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变容二极管 [P]. 
曾伟翔 ;
陈信全 ;
李庆民 ;
杨宗凯 .
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肖特基二极管 [P]. 
马诺耶·梅赫罗特拉 .
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肖特基二极管 [P]. 
陆阳 ;
韩广涛 ;
黄必亮 ;
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肖特基二极管的制造方法 [P]. 
冯喆韻 ;
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变容二极管及变容二极管系统 [P]. 
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肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27