变容二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610105610.3

申请日：

2006-07-10

公开(公告)号：

CN1913159A

公开(公告)日：

2007-02-14

发明(设计)人：

池田洋一

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邵亚丽;李晓舒

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20060710 授权公告日:20090107 终止日期:20210710
2007-02-14	公开	公开
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

变容二极管 [P].

曾伟翔 ;

陈信全 ;

李庆民 ;

杨宗凯 .

中国专利 :CN214378462U ,2021-10-08

[2]

变容二极管和制造变容二极管的方法 [P].

F·R·J·休斯曼 ;

O·J·A·拜克 ;

W·拜奇 .

中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19

[3]

变容二极管及变容二极管系统 [P].

格哈德·卡门 .

中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15

[4]

变容二极管 [P].

F·蒙塞尤尔 .

法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14

[5]

变容二极管和用于制造变容二极管的方法 [P].

安德烈埃·特斯蒂诺 .

中国专利 :CN102667982A ,2012-09-12

[6]

模拟变容二极管 [P].

P·范科伦兰 ;

L·林 ;

A·M·马克斯 ;

S·D·威林厄姆 .

中国专利 :CN101263653B ,2008-09-10

[7]

双重堆叠变容二极管 [P].

彼得·V·赖特 ;

蒂莫西·S·亨德森 .

中国专利 :CN105097956A ,2015-11-25

[8]

交错偏置变容二极管 [P].

艾哈迈德·埃米拉 ;

费萨尔·侯赛因 .

中国专利 :CN110392982A ,2019-10-29

[9]

变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法 [P].

苏亮宇 ;

姚智文 ;

段孝勤 ;

雷明达 .

中国专利 :CN111092125A ,2020-05-01

[10]

并行变容二极管电容器 [P].

金世晔 .

中国专利 :CN101110421A ,2008-01-23

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