变容二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022952129.6

申请日：

2020-12-08

公开(公告)号：

CN214378462U

公开(公告)日：

2021-10-08

发明(设计)人：

曾伟翔陈信全李庆民杨宗凯

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L2993

IPC分类号：

H01L29423 H01L2908 H01L2708

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	授权	授权

共 50 条

[1]

变容二极管 [P].

池田洋一 .

中国专利 :CN1913159A ,2007-02-14

[2]

变容二极管和制造变容二极管的方法 [P].

F·R·J·休斯曼 ;

O·J·A·拜克 ;

W·拜奇 .

中国专利 :CN1165586A ,1997-11-19

[3]

变容二极管及变容二极管系统 [P].

格哈德·卡门 .

中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15

[4]

变容二极管 [P].

F·蒙塞尤尔 .

法国专利 :CN118198151A ,2024-06-14

[5]

模拟变容二极管 [P].

P·范科伦兰 ;

L·林 ;

A·M·马克斯 ;

S·D·威林厄姆 .

中国专利 :CN101263653B ,2008-09-10

[6]

变容二极管和用于制造变容二极管的方法 [P].

安德烈埃·特斯蒂诺 .

中国专利 :CN102667982A ,2012-09-12

[7]

双重堆叠变容二极管 [P].

彼得·V·赖特 ;

蒂莫西·S·亨德森 .

中国专利 :CN105097956A ,2015-11-25

[8]

交错偏置变容二极管 [P].

艾哈迈德·埃米拉 ;

费萨尔·侯赛因 .

中国专利 :CN110392982A ,2019-10-29

[9]

变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法 [P].

苏亮宇 ;

姚智文 ;

段孝勤 ;

雷明达 .

中国专利 :CN111092125A ,2020-05-01

[10]

制造肖特基变容二极管的方法 [P].

R·德克 ;

H·G·R·马尔斯 ;

A·赫林加 ;

H·施里藤霍尔斯特 .

中国专利 :CN1288726C ,2002-10-02

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