包括互补延迟电路的半导体装置和存储器装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410393368.2
申请日
2024-04-02
公开(公告)号
CN119811447A
公开(公告)日
2025-04-11
发明(设计)人
权载 朴宰贤 李仑珍
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C11/4063
IPC分类号
G11C11/4076
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
许伟群;毋二省
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
延迟电路和包括延迟电路的半导体装置 [P]. 
张在旻 ;
金龙珠 ;
权大韩 ;
崔海郎 .
中国专利 :CN103516335B ,2014-01-15
[2]
包括采样电路的半导体装置和存储器装置 [P]. 
卢玄佑 ;
金光洙 ;
金雄来 ;
金亨敏 ;
卢俊锡 .
韩国专利 :CN119920280A ,2025-05-02
[3]
延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置 [P]. 
张玺 ;
徐青 ;
王麟 ;
谢庆国 .
中国专利 :CN110086463B ,2024-06-07
[4]
延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置 [P]. 
张玺 ;
徐青 ;
王麟 ;
谢庆国 .
中国专利 :CN209897029U ,2020-01-03
[5]
延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置 [P]. 
张玺 ;
徐青 ;
王麟 ;
谢庆国 .
中国专利 :CN110086463A ,2019-08-02
[6]
半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的系统 [P]. 
李海硕 ;
吴凛 ;
权宁天 ;
吉泛涌 ;
柳济民 ;
崔志显 .
中国专利 :CN114203219A ,2022-03-18
[7]
半导体装置和包括该半导体装置的存储器系统 [P]. 
崔宰珉 ;
金用勋 ;
郑在祐 ;
金经纶 ;
成侑昶 ;
俞昌植 .
中国专利 :CN115691593A ,2023-02-03
[8]
半导体装置及包括半导体装置的存储器装置和系统 [P]. 
金南局 ;
李南宰 .
韩国专利 :CN111883512B ,2024-08-06
[9]
半导体装置及包括半导体装置的存储器装置和系统 [P]. 
金南局 ;
李南宰 .
中国专利 :CN111883512A ,2020-11-03
[10]
半导体装置和半导体存储器装置 [P]. 
金载仁 ;
李炫哲 .
中国专利 :CN113744772A ,2021-12-03